Ako pratite čipove i brojeve uz oznaku nm onda će vam biti jasno o kakvom se velikom tehnološkom koraku radi
Samsung je najavio prvu primjenu nanosheet tranzistora s poluvodičkim čipovima za ostvarivanje visokih performansi, za male energetske računalne aplikacije, uz planove za proširenje na mobilne procesore. Cilj korejske tvrtke je do 2030. godine postati svjetski proizvođač broj jedan logičkih sklopova - vodeći je TSMC s udjelom od 54 posto dok Samsung ima udio od 16 posto. Na tržištu memorijskih čipova Samsung je lider.
Optimizirani 3 nm proces postiže 45% manju potrošnju energije, za 23% su poboljšane performanse na 16% manjoj površini u usporedbi s 5 nm procesom. 3 nm proces druge generacije smanjuje potrošnju energije za više do 50%, poboljšava performanse za 30% i smanjuje površinu čipa za 35%.
3-nanometarski (nm) procesni čvor primjenjuje tranzistorsku arhitekturu Gate-All-Around (GAA). Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), Samsungova GAA tehnologija implementirana po prvi put ikada, prkosi ograničenjima performansi FinFET-a poboljšavajući energetsku učinkovitost smanjenjem razine napona napajanja. Povećanjem mogućnosti pogonske struje poboljšavaju se performanse.
Samsung koristi vlastitu tehnologiju nanoploča sa širim kanalima što omogućuje veće performanse i veću energetsku učinkovitost u usporedbi s GAA tehnologijama koje koriste nanožice s užim kanalima. Koristeći 3 nm GAA tehnologiju Samsung će moći prilagoditi širinu kanala nanosheeta kako bi optimizirao potrošnju energije i performanse, kako bi zadovoljio različite potrebe kupaca.
Fleksibilnost dizajna GAA tehnologije je vrlo korisna za kooptimizaciju tehnologije dizajna (DTCO) koja pomaže povećati benefite snage, performansi, površine (PPA).
Od trećeg tromjesečja 2021. Samsung Electronics kroz Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) surađuje s partnerima uključujući Ansys, Cadence, Siemens i Synopsys s ciljem usavršavanja proizvoda u skraćenom vremenskom razdoblju.